商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 490mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 715mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 980pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 65pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7.7pF |
商品特性
- N沟道 - 逻辑电平 - 增强型
- 通过汽车级AEC Q101认证
- 湿度敏感度等级1（MSL1），最高峰值回流温度达260°C
- 工作温度达175°C
- 绿色封装（符合RoHS标准）
- 100%雪崩测试