MMDF6N02HDR2
6安培, 20伏特, N沟道双通道MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MMDF6N02HDR2
- 商品编号
- C3276960
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 178pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 372pF |
商品概述
这款高压MOSFET采用先进的终端方案，在不随时间降低性能的前提下，提供增强的电压阻断能力。此外，这款先进的功率MOSFET设计用于承受雪崩和换向模式下的高能量。新的节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的高压、高速开关应用而设计，特别适用于二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥接电路，并针对意外电压瞬变提供额外的安全余量。
商品特性
- 低 RDS(ON) ,提高效率并延长电池寿命
- 逻辑电平栅极驱动——可由逻辑IC驱动
- 微型SO - 8表面贴装封装——节省电路板空间
- 二极管适用于桥式电路
- 二极管具有高速、软恢复特性
- 规定了高温下的 IDSS
- 提供SO - 8封装的安装信息
应用领域
-直流-直流转换器-计算机、打印机、手机和无绳电话等便携式和电池供电产品的电源管理-磁盘驱动器和磁带驱动器等大容量存储产品的低压电机控制