BG5120KE6327
双通道N沟道MOSFET,电流:20mA,耐压:8V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BG5120KE6327
- 商品编号
- C3276956
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@20uA | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.4pF |
商品概述
2SK4070是一款N沟道MOS FET器件，具有低栅极电荷和出色的开关特性，专为开关电源、交流适配器等高电压应用而设计。
商品特性
~~- 低导通电阻-低栅极电荷-栅极电压额定值:±30 V-雪崩能力额定值
应用领域
- 开关电源-交流适配器