2SK4070-ZK-E2-AY
N沟道,电流:1.0A,耐压:600V
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- 品牌名称
- NEC(日电电子)
- 商品型号
- 2SK4070-ZK-E2-AY
- 商品编号
- C3276937
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
EZFET系列是先进的功率MOSFET,内置单片背对背齐纳二极管。这些齐纳二极管可提供ESD和意外瞬态保护。这些微型表面贴装MOSFET具有超低导通电阻RDS(on)和真正的逻辑电平性能。它们能够在雪崩和换向模式下承受高能量,并且漏源二极管的反向恢复时间极短。EZFET器件适用于对电源效率要求较高的低压、高速开关应用。
商品特性
- 齐纳保护栅极,提供静电放电保护
- 超低导通电阻RDS(on),提高效率并延长电池寿命
- 可承受200V机器模型和2000V人体模型静电放电
- 逻辑电平栅极驱动,可由逻辑IC驱动
- 采用微型SO-8表面贴装封装,节省电路板空间
- 二极管特性适用于桥式电路
- 二极管具备高速、软恢复特性
- 规定了高温下的漏源极截止电流IDSS
- 提供SO-8封装的安装信息
应用领域
- 直流-直流转换器
- 便携式和电池供电产品(如计算机、打印机、手机和无绳电话)的电源管理
- 大容量存储产品(如磁盘驱动器和磁带驱动器)的低压电机控制
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