SPI20N60CFDXKSA1
N沟道,电流:20.7A,耐压:650V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SPI20N60CFDXKSA1
- 商品编号
- C3276805
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@1000uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 780pF |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET具有超低的漏源导通电阻（RDS(on)）和真正的逻辑电平性能。它们能够在雪崩和换向模式下承受高能量，并且漏源二极管具有极短的反向恢复时间。MiniMOS™器件专为对电源效率要求较高的低压、高速开关应用而设计。
商品特性
- 超低漏源导通电阻（RDS(on)），可提高效率并延长电池寿命
- 逻辑电平栅极驱动，可由逻辑IC驱动
- 微型SO - 8表面贴装封装，节省电路板空间
- 对二极管进行了特性表征，可用于桥式电路
- 二极管具有高速特性和软恢复能力
- 规定了高温下的漏源泄漏电流（IDSS）
- 提供SO - 8封装的安装信息
应用领域
- 直流 - 直流转换器
- 便携式和电池供电产品（如计算机、打印机、手机和无绳电话）的电源管理
- 大容量存储产品（如磁盘驱动器和磁带驱动器）中的低压电机控制