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3SK264-5-TG-E
N沟道双栅MOSFET,电流:30mA,耐压:15V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- 3SK264-5-TG-E
- 商品编号
- C3276825
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@100uA | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.03pF | |
| 工作温度 | -25℃~+125℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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