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3SK264-5-TG-E
N沟道双栅MOSFET,电流:30mA,耐压:15V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- 3SK264-5-TG-E
- 商品编号
- C3276825
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.03pF | |
| 工作温度 | -25℃~+125℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 增强型
- 易于实现自动增益控制(在VG2S = 0V时截止)
- 低噪声系数
- 互调特性出色
应用领域
- 标准级：计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备以及工业机器人。
- 高品质级：运输设备（汽车、火车、轮船等）、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。