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商品参数
参数完善中
商品概述
IRL6283MTRPbF将最新的HEXFET N沟道功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合，在具有SO - 8封装尺寸且高度仅为0.6 mm的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中关于制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电力系统中的热传递效率，相比之前最佳的热阻性能提升了80%。
商品特性
- 导通电阻RDS(on)=0.4Ω(典型值)
- 输入电容Ciss=1000pF(典型值)
- 10V驱动
应用领域
- 或门、电子保险丝和大电流负载开关-电池应用的负载开关-直流电机应用的逆变器开关