商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 20Ω@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.5pF |
商品概述
LM5109是一款低成本高压栅极驱动器，旨在驱动同步降压或半桥配置中的高端和低端N沟道MOSFET。浮动高端驱动器能够在高达100V的轨电压下工作。输出通过与TTL兼容的输入阈值进行独立控制。强大的电平转换器技术可高速运行，同时功耗较低，并能实现从控制输入逻辑到高端栅极驱动器的清晰电平转换。低端和高端电源轨均具备欠压锁定功能。该器件提供SOIC-8和热增强型LLP-8封装。
商品特性
- 可驱动高端和低端N沟道MOSFET
- 1A峰值输出电流（1.0A灌电流 / 1.0A拉电流）
- 独立的与TTL兼容的输入
- 自举电源电压高达118V DC
- 快速传播时间（典型值27 ns）
- 可驱动1000 pF负载，上升和下降时间为15 ns
- 出色的传播延迟匹配（典型值2 ns）
- 电源轨欠压锁定
- 低功耗
- 引脚与ISL6700兼容
应用领域
- 电流馈电推挽式转换器
- 半桥和全桥电源转换器
- 固态电机驱动器
- 双开关正激式电源转换器