MTD3N25E1
MTD3N25E1
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MTD3N25E1
- 商品编号
- C3276916
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 430pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品特性
- 规定了雪崩能量
- 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
- 该二极管适用于桥接电路
- 规定了高温下的漏源截止电流(IDSS)和漏源导通电压(VDS(on))
- 提供16mm、13英寸/2500个单位的卷带封装表面贴装器件,在产品型号后添加T4后缀
应用领域
- 电源
- 转换器
- PWM电机控制
- 桥接电路