商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 113W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 238pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 730pF |
商品特性
- 规定了高温下的雪崩能量能力
- 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
- 栅极电荷存储量低,实现高效开关
- 内部源漏二极管设计用于替代外部齐纳瞬态抑制器,可在雪崩模式下吸收高能量
- 具备ESD保护,典型情况下可承受400V机器模型和4000V人体模型的静电放电。
应用领域
- 电源
- PWM电机控制
- 其他电感负载