BSC883N03MSG
N沟道,电流:98A,耐压:34V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC883N03MSG
- 商品编号
- C3276894
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 34V | |
| 连续漏极电流(Id) | 98A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 57W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 940pF |
商品概述
OptiMOS™ 30V 产品是业界领先的功率 MOSFET，具备高功率密度和高能效解决方案。超低位栅极和输出电荷，以及小尺寸封装下的极低导通电阻，使 OptiMOS™ 30V 成为服务器、数据通信和电信应用中电压调节器解决方案严苛要求的最佳选择。超快开关控制 FET 搭配低 EMI 同步 FET，提供易于设计的解决方案。OptiMOS™ 产品采用高性能封装，可应对极具挑战性的应用，在优化空间效率和成本方面具有高度灵活性。OptiMOS™ 产品旨在满足并超越计算应用中下一代电压调节标准在能效和功率密度方面的要求。
商品特性
- 针对高开关频率 DC/DC 转换器进行优化
- 100%雪崩测试
- 极低导通电阻 RDS(on)
- 符合 JEDEC 标准，适用于目标应用
- 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数 FOM）
- 无铅电镀；符合 RoHS 标准
- 符合 IEC61249 - 2 - 21 标准的无卤设计
- 双面散热
- 与 DirectFET 封装 SQ 尺寸和外形兼容
- 100%栅极电阻测试
- 低寄生电感
- 薄型设计（<0.7 毫米）
应用领域
-服务器板载电源-高性能计算的电源管理-同步整流-高功率密度负载点转换器