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BSO150N03MDG
2个N沟道 耐压:30V 电流:9.3A
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- 描述
- 特性：双N沟道，针对5V驱动应用（笔记本电脑、VGA、POL）进行优化。 低FOM_SW，适用于高频开关电源。 100%雪崩测试。 在VGS = 4.5V时具有非常低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 适用于消费级应用。 无铅镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSO150N03MDG
- 商品编号
- C3276878
- 商品封装
- DSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 450pF |
应用领域
- 标准应用：计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质应用：运输设备（汽车、火车、轮船等）、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备，以及非专门用于生命维持的医疗设备。