MMSF4N01HDR2
N沟道 MOSFET,电流:4A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MMSF4N01HDR2
- 商品编号
- C3276839
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 595pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 378pF |
商品特性
- 超低导通电阻RDS(on),提高效率并延长电池寿命
- 逻辑电平栅极驱动,可由逻辑IC驱动
- 微型SO-8表面贴装封装,节省电路板空间
- 非常适合同步整流
- 二极管特性适用于桥式电路
- 二极管具有高速软恢复特性
- 规定了高温下的漏源极截止电流IDSS
- 提供SO-8封装的安装信息
应用领域
- 直流-直流转换器
- 计算机、打印机、移动电话和无绳电话等便携式和电池供电产品的电源管理
- 磁盘驱动器和磁带驱动器等大容量存储产品中的低压电机控制