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IPB45N06S4L08
1个N沟道 耐压:60V 电流:45A
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- 描述
- 特性：N沟道。 增强模式。 AEC Q101认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB45N06S4L08
- 商品编号
- C3276870
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 71W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@35uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.78nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.09nF |
应用领域
- 标准应用：计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人
- 高品质应用：运输设备（汽车、火车、轮船等）、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备