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场效应管(MOSFET)
MTA2N60E
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MTA2N60E
N沟道,电流:2A,耐压:600V
SMT
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PCB
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下单最高享92折
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
MTA2N60E
商品编号
C3276873
包装方式
袋装
商品毛重
0.494克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
2A
属性
参数值
导通电阻(RDS(on))
2.2Ω@3V
耗散功率(Pd)
40W
类型
N沟道
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