MMSF7N03ZR2
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 680pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 齐纳保护栅极,提供静电放电保护
- 超低导通电阻RDS(on),提高效率并延长电池寿命
- 可承受200V机器模型和2000V人体模型静电放电
- 逻辑电平栅极驱动,可由逻辑IC驱动
- 采用微型SO-8表面贴装封装,节省电路板空间
- 二极管特性适用于桥式电路
- 二极管具备高速、软恢复特性
- 规定了高温下的漏源极截止电流IDSS
- 提供SO-8封装的安装信息
应用领域
- 直流-直流转换器
- 便携式和电池供电产品(如计算机、打印机、手机和无绳电话)的电源管理
- 大容量存储产品(如磁盘驱动器和磁带驱动器)的低压电机控制