FS10KMJ-2#B01

这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过优化，可在保持卓越开关性能的同时，最大限度地降低导通电阻。

• 在VGS = 10 V、ID = 88 A条件下，RDS(on) = 2.91 mΩ（典型值）
• 低品质因数RDS(on) * QG
• 低反向恢复电荷Qrr
• 软反向恢复体二极管
• 可实现同步整流的高效率
• 快速开关速度
• 经过100% UIL测试
• 符合RoHS标准

• 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
• 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。