2SK1588-T1-AZ
N沟道MOSFET,电流:3A,耐压:16V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK1588-T1-AZ
- 商品编号
- C3276849
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 16V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 输入电容(Ciss) | 240pF@3V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
UniFET MOSFET是仙童半导体基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。这款MOSFET专为降低导通电阻、提供更优开关性能和更高雪崩能量强度而设计。UniFET Ultra FRFET MOSFET具有卓越的体二极管反向恢复性能。其反向恢复时间（trr）小于50纳秒，反向电压变化率（dv/dt）抗扰度为20V/纳秒，而普通平面MOSFET的trr超过200纳秒，dv/dt抗扰度为4.5V/纳秒。因此，在某些需要改善MOSFET体二极管性能的应用中，UniFET Ultra FRFET MOSFET可减少额外元件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 5 A条件下，RDS(on) = 650 mΩ（典型值）
- 低栅极电荷（典型值21 nC）
- 低Crss（典型值11 pF）
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 照明-不间断电源-交流-直流电源