MTB6N60ET4
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.498nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 217pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.1nF |
商品特性
- 坚固的高压终端
- 规定雪崩能量
- 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
- 二极管适用于桥式电路
- 规定高温下的漏源极截止电流(IDSS)和漏源导通电压(VDS(on))
- 短散热片引脚为制造而成 — 非剪切而成
- 专门设计的引线框架,实现最大功率耗散
- 提供24mm、13英寸/800个元件的卷带包装,型号后缀加T4
应用领域
- 电源
- 转换器
- PWM电机控制
- 桥式电路