MTB6N60ET4
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.498nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 217pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.1nF |
商品特性
- 针对 5V 驱动应用（笔记本电脑、VGA、负载点电源）进行优化
- 适用于高频开关电源的低开关品质因数（FOMsw）
- 经过 100% 雪崩测试
- 改善了开关性能
- N 沟道
- 极低的导通电阻（VGS = 4.5 V 时的 RDS(on)）
- 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（品质因数 FOM）
- 符合 JEDEC 标准，适用于目标应用
- 卓越的热阻性能
- 无铅电镀；符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249 - 2 - 21 标准为无卤产品