TPIC5423LDW
4通道N沟道MOSFET,电流:1.25A,耐压:60V
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- TPIC5423LDW
- 商品编号
- C3276812
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 375mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
商品概述
这款先进的TMOS E-FET旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。这种新型节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的低电压、高速开关应用而设计，特别适用于二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并能针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 低rDS(on) ......典型值0.32 Ω
- 输出电压 ......60 V
- 输入保护电路 ......18 V
- 脉冲电流 ......每通道4 A
- 增强型ESD能力 ......4000 V
- 直接逻辑电平接口
应用领域
- 电源
- 转换器
- PWM电机控制
- 桥式电路