RJK6012DPP-00#T2
N沟道MOSFET,电流:10A,耐压:600V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RJK6012DPP-00#T2
- 商品编号
- C3276817
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 920mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品特性
- 低导通电阻
- 典型导通电阻RDS(on) = 0.77 Ω(ID = 5 A、VGS = 10 V、Ta = 25°C时)
- 低漏电流
- 高速开关
应用领域
- 标准应用：计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质应用：运输设备（汽车、火车、轮船等）、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备，以及非专门用于生命支持的医疗设备。
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