BTS112A
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 480pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
应用领域
- 笔记本电脑
- 摄录一体机
- 移动电话
- 板载电源的次级侧
- 用于锂离子电池组的过充保护
- 网络、数据通信
- 打印机和数码复合机的各种直流-直流电源
- P沟道：锂离子电池（笔记本电脑）
- N沟道：用于直流-直流转换器的同步整流（笔记本电脑、电信设备、负载点（POL）、砖式电池）