LM5109SD/NOPB
100V/1A峰值半桥门驱动器
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LM5109SD/NOPB
- 商品编号
- C3276801
- 商品封装
- WSON-8(4x4)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些功率MOSFET器件能够在雪崩和换向模式下承受高能量，且漏源二极管具有极短的反向恢复时间。Micro8器件专为对功率效率要求较高的低压、高速开关应用而设计。雪崩能量经过精确指定，可消除感性负载开关设计中的不确定性，并为应对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 微型Micro8表面贴装封装——节省电路板空间
- 极低的外形高度（<1.1mm），适用于PCMCIA卡等薄型应用
- 超低的RDS(on)，可提高效率并延长电池寿命
- 逻辑电平栅极驱动——可由逻辑IC驱动
- 二极管特性适用于桥式电路
- 二极管具有高速、软恢复特性
- 规定了高温下的IDSS
- 规定了雪崩能量
- 提供Micro8封装的安装信息
应用领域
- 直流-直流转换器
- 便携式和电池供电产品（如计算机、打印机、移动电话和无绳电话）的电源管理
- 大容量存储产品（如磁盘驱动器和磁带驱动器）中的低压电机控制