LM5109SD/NOPB
100V/1A峰值半桥门驱动器
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LM5109SD/NOPB
- 商品编号
- C3276801
- 商品封装
- WSON-8(4x4)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些功率MOSFET器件能够在雪崩和换向模式下承受高能量，且漏源二极管具有极短的反向恢复时间。Micro8器件专为对功率效率要求较高的低压、高速开关应用而设计。雪崩能量经过精确指定，可消除感性负载开关设计中的不确定性，并为应对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 可驱动高端和低端N沟道MOSFET
- 1A峰值输出电流(1.0A灌电流 / 1.0A拉电流)
- 独立的与TTL兼容的输入
- 自举电源电压高达118V DC
- 快速传播时间(典型值27 ns)
- 可驱动1000 pF负载,上升和下降时间为15 ns
- 出色的传播延迟匹配(典型值2 ns)
- 电源轨欠压锁定
- 低功耗
- 引脚与ISL6700兼容
应用领域
- 电流馈电推挽式转换器
- 半桥和全桥电源转换器
- 固态电机驱动器
- 双开关正激式电源转换器