IRL6283MTRPBF
N沟道,电流:38A,耐压:20V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRL6283MTRPBF
- 商品编号
- C3276797
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 211A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 158nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.292nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.526nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
IRL6283MTRPbF将最新的HEXFET N沟道功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合,在具有SO - 8封装尺寸且高度仅为0.6 mm的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中关于制造方法和工艺的说明时,DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热,可最大限度地提高电力系统中的热传递效率,相比之前最佳的热阻性能提升了80%。
商品特性
-环保产品-符合RoHS标准,无铅、无溴且无卤素-极低的导通电阻RDS(ON)
应用领域
-或门、电子保险丝和大电流负载开关-电池应用的负载开关-直流电机应用的逆变器开关