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NVMFS5C410NWFET1G
1个N沟道 耐压:40V 电流:300A 电流:46A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS5C410NWFET1G
- 商品编号
- C3276796
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A；300A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.92mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 166W；3.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.1nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
EZFET是一系列先进的功率MOSFET，内置单片背对背齐纳二极管。这些齐纳二极管可提供静电放电（ESD）和意外瞬态保护。这些微型表面贴装MOSFET具有超低导通电阻RDS(on)和真正的逻辑电平性能。它们能够承受雪崩和换向模式下的高能，且漏源二极管的反向恢复时间极短。EZFET器件专为对功率效率要求较高的低压、高速开关应用而设计。
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适用于紧凑型设计
- 低导通电阻RDS(on),可降低传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,可降低驱动损耗
- NVMFS5C410NWF - 可焊侧翼选项,便于光学检测
- 通过AEC - Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器
- 便携式和电池供电产品（如计算机、打印机、手机和无绳电话）的电源管理
- 大容量存储产品（如磁盘驱动器和磁带驱动器）中的低压电机控制