2SK3634-Z-AZ
N沟道,电流:6.0A,耐压:200V
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- 品牌名称
- NEC(日电电子)
- 商品型号
- 2SK3634-Z-AZ
- 商品编号
- C3276699
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 270pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
功率MOSFET新系列产品是大信号、中压功率MOSFET，针对直流输入为12V至48V的DC/DC转换器和电机驱动器进行了优化。新型MOSFET采用全模塑TO - 220（TO - 220ML）封装形式，采用沟槽结构，与现有产品相比，性能提升50%以上。
商品特性
- 高电压:VDSS = 200 V
- 栅极电压额定值:±30V
- RDS(导通)最大值为0.60 Ω(VGS = 10 V,ID = 3.0 A)
- 低输入电容:典型Ciss = 270 pF(VDS = 10 V,VGS = 0 V)
- 内置栅极保护二极管
- TO - 251/TO - 252封装
- 具备雪崩能力额定值
应用领域
- 娱乐用DC/DC转换器-电动自行车-风扇电机-通用电机驱动器
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