- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
TO-252封装标准门极器件TO-252逻辑电平门极（5V）器件TO-252AA (D-PAK)TO-263AB (D²-PAK)这些器件可采用常见的表面贴装封装，包括:TO-252AA、TO-263AB和SO-8 (LittleFET)。此外Harris的表面贴装多层元件系列可为敏感集成电路和晶体管提供板上保护。TO-263封装标准门极（5V）器件TO-263逻辑电平门极（5V）器件