SIZF360DT-T1-GE3
双N通道MOSFET,电流:83A,耐压:30V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIZF360DT-T1-GE3
- 商品编号
- C3276771
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 143A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 12.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.55nF |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 集成肖特基二极管的SkyFET低端MOSFET
- 100%进行Rq和UIS测试
- 双散热特性为热传递提供额外途径
- 采用3.3毫米×3.3毫米封装的内部连接半桥配置
应用领域
-CPU核心电源-计算机/服务器外设-负载点(POL)-同步降压转换器-电信DC/DC电源
相似推荐
其他推荐