SIZF360DT-T1-GE3
双N通道MOSFET,电流:83A,耐压:30V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIZF360DT-T1-GE3
- 商品编号
- C3276771
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 143A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 12.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.55nF |
商品特性
- 该器件专为必须具备极低导通电阻的数字开关应用而设计。
- 采用58制程工艺。
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