PMF63UNE115
N通道,电流:2.2A,耐压:20V
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMF63UNE115
- 商品编号
- C3276759
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.85nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 289pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 51pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用非常小的SOT323（SC - 70）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 沟槽MOSFET技术
- 低阈值电压
- 静电放电(ESD)保护 >2 kV HBM
应用领域
-LED驱动器-电源管理-低端负载开关-开关电路