FDC658AP-G
P沟道 MOSFET,电流:-4A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC658AP-G
- 商品编号
- C3276761
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.1nC | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品特性
- 在VGS = -10 V、ID = -4 A条件下,最大RDS(导通) = 50 mΩ
- 在VGS = -4.5 V、ID = -3.4 A条件下,最大RDS(导通) = 75 mΩ
- 栅极电荷低
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(导通)
- 无铅、无卤且符合RoHS标准
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护
- DC-DC转换