2SK4146-S19-AY
N通道MOSFET,电流:80A,耐压:75V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK4146-S19-AY
- 商品编号
- C3276768
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 84W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 620pF |
商品特性
- 低导通电阻
- 最大RDS(on) = 10.1 mΩ(VGS = 10 V,ID = 40 A)
- 低输入电容
- 典型Ciss = 3500 pF(VDS = 10 V)
应用领域
- 直播卫星（DBS）低噪声下变频器（LNB）增益级、混频级
- 微波通信系统低噪声放大器