商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 450V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 680mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
2SK3634是一款N沟道MOS FET器件，具有低导通电阻和出色的开关特性，专为DC/DC转换器等高电压应用而设计。
商品特性
- 高电压：VDSS = 200 V
- 栅极电压额定值：±30V
- RDS(导通)最大值为0.60 Ω（VGS = 10 V，ID = 3.0 A）
- 低输入电容：典型Ciss = 270 pF（VDS = 10 V，VGS = 0 V）
- 内置栅极保护二极管
- TO - 251/TO - 252封装
- 具备雪崩能力额定值