MTD15N06VL1
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 380pF |
商品特性
-采用沟槽技术的MOSFET-低漏源导通电阻(RDS(ON))-优化的本征反向二极管-高集成度-高电流承载能力-用于MOSFET栅极控制的辅助端子-用于焊接或钎焊连接的端子-具有优化热传递性能的隔离式DCB陶瓷基板-节省空间和重量-符合RoHS标准-低热阻
应用领域
-交流驱动器-汽车领域-电动助力转向系统-启动发电机-工业车辆领域-推进驱动器-叉车驱动器-电池供电设备-DC-DC转换器