IPA037N08N3
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@155uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 8.11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.18nF |
商品特性
- 适用于高频开关和同步整流
- 针对 DC/DC 转换器优化的技术
- 出色的栅极电荷 × 导通电阻 RDS(on) 乘积（品质因数 FOM）
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- N 沟道，常电平
- 100% 雪崩测试
- 无铅镀层；符合 RoHS 标准
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证
- 根据 IEC61249-2-21 标准无卤