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IPW65R190E6实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPW65R190E6

1个N沟道 耐压:650V 电流:20.2A

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商品型号
IPW65R190E6
商品编号
C3276747
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
8.55克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)20.2A
导通电阻(RDS(on))190mΩ@10V,7.3A
属性参数值
耗散功率(Pd)151W
阈值电压(Vgs(th))3.5V@0.73mA
栅极电荷量(Qg)73nC@10V
输入电容(Ciss)1.62nF@100V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

商品概述

CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,依据超结(SJ)原理设计。CoolMOS™ E6 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流的创新技术。所提供的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势,同时不牺牲易用性。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更佳。

商品特性

  • 由于极低的品质因数 Rison*Qg 和 Eoss,损耗极低
  • 极高的换向鲁棒性
  • 易于使用/驱动
  • 通过 JEDEC 认证,无铅电镀,无卤素

应用领域

  • 功率因数校正(PFC)级
  • 硬开关脉宽调制(PWM)级
  • 谐振开关 PWM 级,例如用于 PC 电源、适配器、液晶与等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源(UPS)

数据手册PDF