- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 460pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
SO-8封装的N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门设计用于提供卓越的开关性能，并将导通电阻降至最低。这些器件特别适用于低压应用，如磁盘驱动器电机控制、需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力的电池供电电路。
商品特性
- 低导通电阻
- 4V驱动
应用领域
- 磁盘驱动器电机控制-电池供电电路