温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
CPH6414-TL-E
参数完善中
SO-8封装的N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门设计用于提供卓越的开关性能,并将导通电阻降至最低。这些器件特别适用于低压应用,如磁盘驱动器电机控制、需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力的电池供电电路。
本网站需要JavaScript才能正常运行。请在浏览器设置中启用JavaScript。