商品参数
参数完善中
商品概述
SO-8封装的N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门设计用于提供卓越的开关性能，并将导通电阻降至最低。这些器件特别适用于低压应用，如磁盘驱动器电机控制、需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力的电池供电电路。
商品特性
- 低导通电阻
- 4V驱动
应用领域
- 磁盘驱动器电机控制-电池供电电路
参数完善中
SO-8封装的N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门设计用于提供卓越的开关性能，并将导通电阻降至最低。这些器件特别适用于低压应用，如磁盘驱动器电机控制、需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力的电池供电电路。