RJK2017DPP-00#T2
N沟道,电流:45A,耐压:200V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RJK2017DPP-00#T2
- 商品编号
- C3276683
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.8nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 内置偏置电路；降低使用部件成本和 PCB 板空间
- 低噪声；在 f = 900MHz 时，典型噪声系数 NF = 1.6 dB
- 高增益；在 f = 900MHz 时，典型功率增益 PG = 22 dB
- 防静电放电；内置静电放电吸收二极管。在 C = 200pF、Rs = 0 的条件下，可承受高达 200V 的电压
- 提供小型塑封封装；MPAK - 4(SOT - 143Rmod)