商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 107mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
这款高压MOSFET采用先进的终端方案，在不随时间降低性能的情况下，增强了耐压能力。此外，这款先进的TMOS E-FET设计用于承受雪崩和换向模式下的高能量。这种新型节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的高压、高速开关应用而设计，特别适用于对二极管速度和换向安全工作区要求苛刻的桥接电路，并且能针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 11A,60V
- rDS(ON) = 0.107 Ω
- 温度补偿PSPICE模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 非钳位感性负载(UIS)额定曲线
应用领域
-开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器