商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1nF |
商品特性
- 低导通电阻
- 典型RDS = 0.020 Ω
- 高速开关
- 4 V栅极驱动器件可由5 V电源驱动
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备以及工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、船舶等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。