AUIRF7319QTR
双通道MOSFET,电流:6.5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRF7319QTR
- 商品编号
- C3276715
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 710pF |
商品概述
这些采用双SO - 8封装的HEXFET功率MOSFET专为汽车应用而设计,采用了先进的处理技术,以实现每单位硅面积极低的导通电阻。这些符合汽车标准的HEXFET功率MOSFET的其他特性包括150°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些优势相结合,使该设计成为适用于汽车应用及多种其他应用的高效可靠器件。 高效的SO - 8封装具有出色的热特性和双MOSFET管芯能力,使其成为各种功率应用的理想选择。这种双表面贴装SO - 8封装可显著节省电路板空间,并且也有卷带包装形式。
商品特性
-先进的平面技术-低导通电阻-逻辑电平栅极驱动-双N沟道和P沟道MOSFET-表面贴装-全雪崩额定-无铅、符合RoHS标准-符合汽车标准