商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
MIC5018 IttyBitty™高端MOSFET驱动器旨在在高端或低端开关应用中，通过TTL兼容控制信号来切换N沟道增强型MOSFET。该驱动器采用微型4引脚SOT-143封装。 MIC5018由+2.7V至+9V电源供电，具有极低的关断状态电源电流。内部电荷泵可将栅极输出驱动到高于驱动器电源电压的水平，并能无限期维持栅极电压。内部齐纳二极管可将栅极至源极电压限制在标准N沟道MOSFET的安全水平。 在高端配置中，MOSFET导通时，其源极电压接近电源电压。为使MOSFET保持导通状态，MIC5018的输出将MOSFET栅极电压驱动到高于电源电压的水平。在典型的高端配置中，驱动器由负载电源电压供电。在某些条件下，MIC5018和MOSFET可切换略高于驱动器电源电压的负载电压。 在低端配置中，驱动器可控制一个MOSFET，该MOSFET可切换高达其额定值的任何电压。栅极输出电压高于典型的3.3V或5V逻辑电源电压，可完全增强标准MOSFET。 MIC5018采用SOT-143封装，额定环境温度范围为-40°C至+85°C。
商品特性
- 4.0A和5.0A,150V - 200V
- 导通电阻rDS(on) = 0.8Ω和1.2Ω
- 单脉冲雪崩能量额定值
- 安全工作区受功率耗散限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗
应用领域
- 电池节能-电源总线开关-螺线管和运动控制-灯具控制