CLF1G0060S-10
宽带射频功率氮化镓高电子迁移率晶体管,电流:10W,耐压:150V
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- 商品型号
- CLF1G0060S-10
- 商品编号
- C3276672
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 工作温度 | -25℃~+85℃ |
商品特性
- 工作频率范围为直流至6.0 GHz
- 10 W通用宽带射频功率GaN HEMT
- 出色的耐用性(电压驻波比 = 10:1)
- 高电压工作(50 V)
- 热增强型封装
应用领域
-商用无线基础设施(蜂窝网络、WiMAX)-工业、科学、医疗领域-雷达-干扰器-宽带通用放大器-电磁兼容性测试-公共移动无线电
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