HUF76113T3ST
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 625pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面DMOS技术制造。 这种先进技术专门针对最小化导通电阻、提供卓越的开关性能以及承受雪崩和换向模式下的高能脉冲进行了优化。这些器件非常适合高效开关型DC/DC转换器和开关电源。
商品特性
- 逻辑电平栅极驱动
- 4.7A,30V
- 超低导通电阻,rDS(ON) = 0.031Ω
- 温度补偿PSPICE模型
- 温度补偿SABER模型
- 热阻SPICE模型
- 热阻SABER模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 单脉冲雪崩耐量(UIS)额定曲线
应用领域
-开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-低压总线开关-便携式和电池供电产品的电源管理