2SK3704-CB11
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 350pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童公司专有的平面DMOS技术制造。 这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于基于半桥的高效开关模式电源和电子灯镇流器。
商品特性
- 低导通电阻。
- 超高速开关。
- 4V驱动。
应用领域
-电机驱动-直流/直流转换器