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NTMFS5C430NLT1G
1个N沟道 耐压:40V 电流:200A
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- 描述
- 功率 MOSFET，40 V，1.4 mΩ，200 A，单 N 沟道
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS5C430NLT1G
- 商品编号
- C194661
- 商品封装
- DFN5(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.168克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.942nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 144pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计
- 低 RDS(on),以最小化传导损耗
- 低 QG 和电容,以最小化驱动损耗
- 这些器件为无铅产品,符合 RoHS 标准
应用领域
-高端负载开关-手机、计算机、数码相机、MP3 播放器和个人数字助理 (PDA)