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FDC855N
1个N沟道 耐压:30V 电流:6.1A
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- 描述
- 此款 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是适合低电压和电池供电应用的高效方案此器件采用先进的 PowerTrench 工艺，最大程度地降低了导通电阻，从而优化功耗。非常适合线内功率损耗至关重要的应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC855N
- 商品编号
- C241778
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 655pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET具有低导通电阻RDS(on)，可确保功率损耗最小并节约能源，使这些器件非常适合用于对空间要求较高的电源管理电路。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 6.1 A 时,最大 rDS(on) = 27 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 5.3 A 时,最大 rDS(on) = 36 m Ω
- SuperSOTTM -6 封装:占位面积小(比标准 SO - 8 小 72%);厚度薄(1mm)
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-笔记本电脑、硬盘驱动器的电源管理