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FDD8782
1个N沟道 耐压:25V 电流:35A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD8782
- 商品编号
- C241788
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.371克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.22nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF@13V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低导通电阻rDS(on)和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 35 A时，最大导通电阻rDS(on) = 11.0 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 35 A时，最大导通电阻rDS(on) = 14.0 mΩ
- 低栅极电荷：Qg(10) = 18 nC（典型值），VGS = 10 V
- 低栅极电阻
- 雪崩额定且经过100%测试
- 符合RoHS标准
- D-PAK（TO-252）封装
- I-PAK（TO-251AA）封装
- 短引脚I-PAK封装
应用领域
- 台式计算机和服务器的Vcore DC-DC转换器
- 中间总线架构的VRM