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FDMS0308AS
N沟道,电流:49A,耐压:30V
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- 描述
- FDMS0308AS 适用于最大程度降低电源转换应用中的损耗。同时结合了硅和封装技术的发展进步，可提供最低的 rDS(on)，还保持出色的开关性能。此器件还增加了高效单片肖特基体二极管的优点。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS0308AS
- 商品编号
- C241799
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 109A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.085nF |
商品概述
FDMS0308AS旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。结合了硅技术和封装技术的进步，在保持出色开关性能的同时，实现最低的导通电阻rDS(on)。该器件还具备高效单片肖特基体二极管的优势。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 24 A时,最大rDS(on) = 2.8 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 21 A时,最大rDS(on) = 3.5 mΩ
- 采用先进的封装和硅技术组合,实现低rDS(on)和高效率
- 同步场效应晶体管(SyncFET)肖特基体二极管
- 具有MSL1级的稳健封装设计
- 经过100% UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC转换器的同步整流器-笔记本电脑Vcore/GPU低端开关-网络负载点低端开关-电信次级侧整流