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FDS6690AS
30V N沟道MOSFET,电流:10A,耐压:30V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6690AS
- 商品编号
- C241812
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 910pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
商品概述
FDS6690AS 专为替代同步 DC-DC 电源中的单个 SO-8 MOSFET 和肖特基二极管而设计。这款 30V MOSFET 旨在最大限度地提高功率转换效率，提供低 RDS(ON) 和低栅极电荷。FDS6690AS 采用仙童的单片同步场效应晶体管（SyncFET）技术，集成了一个肖特基二极管。FDS6690AS 作为同步整流器中的低端开关，其性能接近与肖特基二极管并联的 FDS6690A 的性能。
商品特性
- 在 VGS = 4.5V 时,RDS(ON) 最大值 = 15mΩ
- 10A、30V。在 VGS = 10V 时,RDS(ON) 最大值 = 12mΩ
- 集成同步场效应晶体管(SyncFET)肖特基二极管
- 低栅极电荷(典型值为 16nC)
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的 RDS(ON)
- 具备高功率和高电流处理能力
应用领域
- DC/DC 转换器
- 低端笔记本电脑