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FDS9400A
1个P沟道 耐压:30V 电流:3.4A
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- 描述
- 这款P沟道MOSFET是采用先进功率沟槽工艺的耐用栅极版本。它针对需要宽范围栅极驱动电压额定值（4.5V - 25V）的电源管理应用进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS9400A
- 商品编号
- C241822
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.4nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 205pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻、快速开关速度和小封装下极低的漏源导通电阻进行了优化。
商品特性
- RDS(ON) = 200mΩ(VGS = - 4.5V时)
- -3.4A,-30V;RDS(ON) = 130mΩ(VGS = - 10V时)
- 低栅极电荷(典型值2.4nC)
- 快速开关速度
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- SO-8封装
应用领域
-电源管理-负载开关-电池保护